項目概況：

武漢國家存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城未來三路，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目。武漢國家存儲器基地為中國打破主流存儲器領(lǐng)域空白，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐，是國家重點支持的集成電路四大產(chǎn)業(yè)聚區(qū)之一，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。此次項目采用AO史密斯容積式燃?xì)鉄崴到y(tǒng)，確保全年基地食堂用熱水需求。